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金刚石二维结构及掺杂性质的理论计算

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金刚石二维结构及掺杂性质的理论计算
论文目录
 
中文摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第一章 绪论第13-45页
  1.1 碳材料第13页
  1.2 金刚石第13-38页
    1.2.1 二维金刚石的研究进展第15-25页
    1.2.2 金刚石中的缺陷中心第25-38页
      1.2.2.1 金刚石中的空位第26-29页
      1.2.2.2 金刚石中的氮空位(NV)中心第29-32页
      1.2.2.3 金刚石中的硅空位(SiV)中心第32-36页
      1.2.2.4 二维金刚石中的空位中心第36-38页
  1.3 本文选题目的及研究内容第38-39页
参考文献第39-45页
第二章 理论背景与计算方法第45-57页
  2.1 密度泛函理论第45-53页
    2.1.1 Hartree?Fork理论第45-47页
    2.1.2 Hohenberg?Kohn定理第47页
    2.1.3 Kohn?Sham方程第47-50页
    2.1.4 交换关联泛函第50-53页
  2.2 第一性原理计算方法第53-56页
    2.2.1 平面波基展开第53-54页
    2.2.2 赝势方法第54-56页
参考文献第56-57页
第三章 二维(110)金刚石纳米膜的结构和电学性质第57-71页
  3.1 背景介绍第57-58页
  3.2 计算方法第58页
  3.3 结果和讨论第58-67页
    3.3.1 结构第58-61页
    3.3.2 结构的稳定性第61-63页
    3.3.3 电学性质第63-67页
  3.4 本章小结第67-68页
参考文献第68-71页
第四章 金刚石中与自旋和电荷态相关的空位和掺杂硅的电学、磁学性质第71-81页
  4.1 背景介绍第71-72页
  4.2 计算方法第72页
  4.3 结果和讨论第72-78页
    4.3.1 结构特征第72-73页
    4.3.2 电学和磁学性质第73-78页
  4.4 本章小结第78-79页
参考文献第79-81页
第五章 含硅掺杂和硅?空位的二维氢化双层金刚石膜结构与性质第81-95页
  5.1 背景介绍第81-82页
  5.2 计算方法第82页
  5.3 结果和讨论第82-90页
    5.3.1 二维氢化双层金刚石膜(2D-HBDF)第82-83页
    5.3.2 替代和填隙硅第83-86页
    5.3.3 硅-空位(SiV)复合物第86-89页
    5.3.4 光学特性第89-90页
  5.4 本章小结第90-91页
参考文献第91-95页
第六章 总结与展望第95-97页
作者简历及科研成果第97-101页
致谢第101-102页

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