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高质量氰基取代对苯撑乙烯类有机单晶制备及其光电性能研究

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高质量氰基取代对苯撑乙烯类有机单晶制备及其光电性能研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-32页
    1.1 晶体的形成和生长第12-17页
        1.1.1 晶体的生长过程第12-13页
        1.1.2 晶体生长方法第13-15页
        1.1.3 晶体生长系统第15-17页
    1.2 近代晶体生长理论第17-19页
        1.2.1 输运理论(Transport theory)第17页
        1.2.2 界面稳定性理论(Interface stability theory)第17-18页
        1.2.3 周期链键理论(Periodic bond chain(PBC)theory)第18-19页
        1.2.4 晶体成核理论(Crystal nucleation theory)第19页
    1.3 晶格畸变相关问题第19-22页
        1.3.1 晶体的相变第19-20页
        1.3.2 气相生长相变驱动力第20-21页
        1.3.3 晶格畸变过程第21-22页
        1.3.4 固态相变的常用研究方法第22页
    1.4 有机晶体及其光电特性第22-29页
        1.4.1 有机晶体中分子堆积结构类型第23-24页
        1.4.2 有机晶体光物理过程的研究进展第24-25页
        1.4.3 有机晶体光泵激光性质的研究进展第25-26页
        1.4.4 基于有机晶体的场效应晶体管器件研究进展第26-29页
    1.5 本论文研究思路第29-32页
        1.5.1 主要问题分析第29页
        1.5.2 论文主要内容第29-32页
第二章 有机晶体的气相生长及其机理研究第32-66页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 PVT法生长PBNA单晶及其结构表征第33-52页
        2.2.1 PBNA的合成及其晶体制备第33-35页
        2.2.2 PBNA晶体结构及结构分析第35-42页
        2.2.3 绿色PBNA晶体和橙色PBNA晶体发光性质研究第42-43页
        2.2.4 原位压力变化对绿色PBNA晶体结构的影响第43-47页
        2.2.5 PBNA晶体的变温XRD单晶结构分析第47-52页
    2.3 PVT法生长BPCNDSB晶体及其结构表征第52-58页
        2.3.1 BPCNDSB的合成及其晶体制备第52-53页
        2.3.2 BPCNDSB晶体结构及结构分析第53-54页
        2.3.3 原位温度变化对BPCNDSB晶体结构的影响第54-58页
    2.4 气相衬底表面直接生长晶体的探索第58-65页
        2.4.1 生长方法和不同衬底条件第58-60页
        2.4.2 无衬底的单晶生长第60页
        2.4.3 SiO_2 衬底表面的单晶生长第60-63页
        2.4.4 PMMA衬底表面的晶体生长第63-65页
    本章小结第65-66页
第三章 有机晶体的激光性质研究第66-80页
    3.1 引言第66页
    3.2 有机晶体的ASE激光性能研究第66-73页
        3.2.1 ASE测试方法第66-67页
        3.2.2 PBNA晶体的ASE性质第67-71页
        3.2.3 BPCNDSB晶体的ASE性质第71-73页
    3.3 有机晶体光谱动力学第73-78页
        3.3.1 超快时间分辨瞬态吸收简介第73-75页
        3.3.2 PBNA和 BPCNDSB晶体的瞬态光谱和动力学研究第71-78页
    本章小结第78-80页
第四章 有机晶体的电学性质研究第80-93页
    4.1 引言第80-81页
    4.2 基于PBNA单晶的场效应晶体管性质研究第81-90页
        4.2.1 场效应晶体管器件结构的选择第81-83页
        4.2.2 绿色PBNA晶体的场效应晶体管器件性能研究第83-89页
        4.2.3 橙色PBNA单晶的场效应晶体管器件性能研究第89-90页
    4.3 基于BPCNDSB单晶的场效应晶体管性质研究第90-92页
        4.3.1 BPCNDSB单晶的场效应晶体管器件及其特性曲线第90-91页
        4.3.2 BPCNDSB单晶的发光场效应晶体管器件第91-92页
    本章小结第92-93页
第五章 实验用材料和测试仪器第93-96页
    5.1 实验用试剂和耗材第93页
    5.2 实验用测试仪器和方法第93-96页
        5.2.1 晶体样品质量的称量第93页
        5.2.2 密度泛函理论计算第93页
        5.2.3 荧光光谱测试第93页
        5.2.4 紫外可见光吸收光谱第93-94页
        5.2.5 电化学性质的测试第94页
        5.2.6 单晶XRD测试第94页
        5.2.7 超快时间分辨瞬态吸收光谱测试第94页
        5.2.8 晶体厚度和蒸镀薄膜厚度的测试第94-95页
        5.2.9 原子力扫描显微镜第95页
        5.2.10 荧光显微镜第95页
        5.2.11 场效应晶体管器件电学测试第95-96页
第六章 总结和展望第96-98页
参考文献第98-108页
附录第108-116页
攻读博士学位期间取得的研究成果第116-118页
致谢第118-119页
附件第119页

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