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全水溶液法制备高性能In_2O_3薄膜晶体管及其在逻辑器件中的应用

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全水溶液法制备高性能In_2O_3薄膜晶体管及其在逻辑器件中的应用
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-23页
  1.1 引言第9-10页
  1.2 TFT的研究历程第10-14页
  1.3 TFT的工作原理和主要性能参数第14-19页
    1.3.1 TFT的基本结构第14-15页
    1.3.2 TFT的工作原理第15-17页
    1.3.3 TFT的主要参数第17-19页
  1.4 High-k材料在晶体管中的应用第19-20页
  1.5 本论文的创新点及章节安排第20-23页
第二章 样品的制备方法及其表征手段第23-32页
  2.1 溶胶凝胶法原理第23-25页
  2.2 热蒸发技术沉积源、漏电极第25-26页
  2.3 薄膜及器件的表征第26-32页
    2.3.1 X射线衍射(XRD)第26-27页
    2.3.2 紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)第27-28页
    2.3.3 原子力显微镜(AFM)第28-29页
    2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)第29-30页
    2.3.5 电学测试系统第30-32页
第三章 环保、低成本的水溶液法制备In_2O_3薄膜及其在晶体管和反相器中的应用第32-44页
  3.1 In_2O_3薄膜晶体管实验细节第32-34页
    3.1.1 In_2O_3前驱体的制备第33页
    3.1.2 薄膜沉积及器件构筑第33-34页
  3.2 结果与讨论第34-42页
    3.2.1 In_2O_3干凝胶的热行为分析第34页
    3.2.2 In_2O_3薄膜的结构分析第34-35页
    3.2.3 叠层样品(In_2O_3/Al_2O_3)的光学透光率分析第35-36页
    3.2.4 In_2O_3薄膜和Al_2O_3薄膜的表面形貌分析第36-37页
    3.2.5 In_2O_3薄膜的化学键态和组成分析第37-38页
    3.2.6 Al_2O_3薄膜的介电性能分析第38-39页
    3.2.7 TFT器件的电学性能分析第39-41页
    3.2.8 TFT器件在电阻负载型反相器中应用第41-42页
  3.3 本章小结第42-44页
第四章 High-k ZrAlO_x介电薄膜及相关TFT性能的研究和应用第44-55页
  4.1 实验细节第44-45页
    4.1.1 In_2O_3与ZrAlO_x前驱体溶液的制备第44页
    4.1.2 薄膜与器件的制备及表征第44-45页
  4.2 结果与讨论第45-54页
    4.2.1 热重分析(TGA)测试第45-46页
    4.2.2 X射线衍射(XRD)和紫外-可见光谱(UV-Vis)测试第46-47页
    4.2.3 原子力显微镜测试(AFM)第47-48页
    4.2.4 X射线光电子能谱(XPS)测试第48-49页
    4.2.5 ZrAlO_x介电性能测试第49-50页
    4.2.6 In_2O_3/ZrAlO_x TFT电学特性测试第50-52页
    4.2.7 反相器测试第52-54页
  4.3 本章小结第54-55页
第五章 三元Zr-Gd-O栅介质薄膜的制备及其在高性能晶体管和电阻负载型反相器中的应用第55-69页
  5.1 实验细节第55-57页
    5.1.1 前驱体溶液的制备及特性第55页
    5.1.2 薄膜沉积及特性第55-56页
    5.1.3 器件制作及特性分析第56-57页
  5.2 结果与讨论第57-68页
    5.2.1 ZrGdO_x薄膜的微观结构和表面形貌第57-58页
    5.2.2 ZrGdO_x薄膜的光学带隙和透过率第58-59页
    5.2.3 ZrGdO_x薄膜的化学键状态和化学组分第59-61页
    5.2.4 ZrGdO_x薄膜的介电性能第61-62页
    5.2.5 基于ZrGdO_x栅介质的In_2O_3 TFT第62-65页
    5.2.6 In_2O_3/ZrGdO_x薄膜晶体管的偏压稳定性表征第65-66页
    5.2.7 电阻负载型反相器第66-68页
  5.3 本章小结第68-69页
第六章 总结及展望第69-71页
  6.1 总结第69-70页
  6.2 展望第70-71页
参考文献第71-80页
致谢第80-81页
硕士期间发表的论文第81-82页

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