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石墨相氮化碳非金属光催化剂制备新工艺研究

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石墨相氮化碳非金属光催化剂制备新工艺研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-7页
1 绪论第11-23页
    1.1 课题研究背景第11-12页
    1.2 半导体光催化技术第12-16页
        1.2.1 半导体光催化技术研究进展第12-13页
        1.2.2 光催化原理第13-14页
        1.2.3 光催化材料的应用及限制第14-16页
    1.3 氮化碳材料的研究概述第16-19页
        1.3.1 氮化碳材料的结构第16-17页
        1.3.2 氮化碳材料的应用第17-19页
    1.4 提高g-C_3N_4 催化性能的途径第19-21页
        1.4.1 元素掺杂第19-20页
        1.4.2 加载助催化剂第20页
        1.4.3 过渡金属负载第20页
        1.4.4 与其他半导体材料复合第20-21页
    1.5 选题的目的及创新点第21-23页
        1.5.1 选题的目的第21页
        1.5.2 选题的创新点第21-23页
2 实验材料及表征方法第23-29页
    2.1 实验试剂与仪器设备第23-25页
        2.1.1 实验试剂第23页
        2.1.2 仪器设备第23-25页
    2.2 催化材料的表征方法第25-26页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第25页
        2.2.2 扫描电镜(SEM)第25页
        2.2.3 电子能谱(XPS)第25-26页
        2.2.4 光学性质(UV-Vis,PL)第26页
        2.2.5 比表面积(BET)第26页
        2.2.6 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)第26页
        2.2.7 程序升温脱附(TPD)第26页
        2.2.8 EIS光谱第26页
    2.3 光催化性能测试第26-29页
        2.3.1 光催化反应装置第27页
        2.3.2 光催化降解有机污染物第27-28页
        2.3.3 光催化制取双氧水第28-29页
3 硫酸根改性g-C_3N_4 制备与催化性能研究第29-45页
    3.1 概述第29-30页
    3.2 催化剂的制备第30-31页
        3.2.1 g-C_3N_4 的制备第30页
        3.2.2 硫酸根改性g-C_3N_4 的制备第30-31页
    3.3 结果与讨论第31-42页
        3.3.1 XRD表征结果第31-32页
        3.3.2 SEM结果第32-33页
        3.3.3 N_2 吸附-脱附等温线第33-35页
        3.3.4 UV-vis表征第35-36页
        3.3.5 XPS结果第36-37页
        3.3.6 电化学阻抗图谱(EIS)和荧光光谱(PL)第37-39页
        3.3.7 FT-IR谱图第39-40页
        3.3.8 O_2-TPD测试结果第40-41页
        3.3.9 光催化活性、稳定性的评价第41-42页
    3.4 本结结论第42-45页
4 介质阻挡等离子体法制备硫掺杂石墨相氮化碳第45-57页
    4.1 概述第45-46页
    4.2 催化剂的制备第46-47页
        4.2.1 gCN的制备第46页
        4.2.2 介质阻挡等离子体法制备S掺杂g-C_3N_4第46-47页
        4.2.3 传统S掺杂g-C_3N_4第47页
    4.3 结果与讨论第47-55页
        4.3.1 光催化降解罗丹明B活性评价第47-48页
        4.3.2 XRD表征结果第48-49页
        4.3.3 SEM结果第49-50页
        4.3.4 N_2 吸附-脱附等温线第50-51页
        4.3.5 紫外-可见光谱第51-52页
        4.3.6 XPS结果第52-54页
        4.3.7 PL光谱第54页
        4.3.8 光催化稳定性第54-55页
    4.4 本结结论第55-57页
5 论文总结第57-59页
    5.1 总结第57-58页
    5.2 展望未来第58-59页
符号说明第59-61页
参考文献第61-73页
致谢第73-75页
攻读硕士学位期间发表的学术论文目录第75页

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